OLED薄膜封裝

薄膜封裝-TFE(Thin Film Encapsulation)利用超薄的薄膜實(shí)現(xiàn)對(duì)OLED材料的密封，以保護(hù)OLED材料不受外部水分、氧氣的侵蝕，起到封裝材料的作用。

OLED薄膜難點(diǎn)是OLED材料不能承受高溫，也能容許在薄膜沉積的過程中有過多的離子損傷。

低溫原子層沉積技術(shù)（ALD）和電感耦合等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（ICP-CVD）是目前兩種比較可行的OLED TFE方案。

1. 低溫原子層沉積技術(shù)（ALD）可以在器件表面形成超薄并且致密度非常好的介質(zhì)薄膜，起到封裝的作用。主要使用的封裝材料有Al2O3和HfO2等。

矽碁開發(fā)的200*200mm ALD TFE機(jī)臺(tái)。

用HfO2封裝的OLED器件

2. 電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（ICP-CVD）也可以用于OELD薄膜封裝，需要對(duì)等離子體模塊進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以減少等離子體對(duì)OLED器件的損傷。同時(shí)需要調(diào)整鍍膜前驅(qū)物和工藝。

與傳統(tǒng)CVD技術(shù)對(duì)比

低溫ICP-CVD OLED器件封裝效果

低溫ALD和低溫ICP-CVD技術(shù)可以配合使用實(shí)現(xiàn)多層膜交替封裝，或者不同類型材料交疊的封裝。

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