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化學氣相沉積

  • 低壓化學氣相沉積(LPCVD)
低壓化學氣相沉積(LPCVD)

低壓化學氣相沉積(LPCVD)

  • CVD工藝
  • 退火
  • 擴散
  • 氧化
  • 產(chǎn)品描述:低壓化學氣相沉積,Low Pressure Chemical Vapor Deposition,CVD,PECVD,LPCVD
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低壓化學氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPVD)是指在較低氣壓下環(huán)境進行薄膜沉積,可進行大面積小批量樣品沉積。


技術參數(shù):

1 基片尺寸可定制,最大可達10 英寸;

2 最高加熱溫度 1700 ℃,單溫區(qū)或者多溫區(qū)可選;

3 最多可配置6路工藝氣體;

4 配備油泵或者干泵,可選配分子泵;

5 樣品水平,垂直兩種配置模式;

6 可小批量量產(chǎn);


應用領域:

LPCVD

退火

擴散

氧化

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