電感耦合等離子體增強化學氣相沉積系統(ICP Chemical Vapor Deposition, ICPVD)利用ICP線圈將反應氣體高度離化，是的CVD可以在高溫下實現一些特殊材料的沉積。該產品需根據用戶的應用需求定制，目前定制的產品成功制備出直立生長石墨烯，而且可以通過工藝控制材料的生長狀態(tài)。這種石墨烯在催化，場發(fā)射領域都有廣泛的應用。

技術參數：
1 基片尺寸2～6 英寸；
2 最高加熱溫度 900℃；
3 最多可拓展6路工藝氣體；
4 可選快速傳樣腔體；