對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實現(xiàn)的材料蒸發(fā)，可采用電子束蒸發(fā)(E-beam Evaporation)的方式來實現(xiàn)。不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱，高能電子束轟擊可實現(xiàn)超過3000℃的局域高溫，這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發(fā)出來，甚至是高熔點的材料，例如，Pt，W，Mo，Ta以及一些氧化物，陶瓷材料等。矽碁提供的電子束蒸發(fā)源可承載1-6種不同的材料，實現(xiàn)多層膜工藝；蒸發(fā)源本身防污染設(shè)計，使得不同材料之間的交叉污染降到最低。特別是針對Lift-off工藝的樣品高溫問題，設(shè)備配置了低溫的樣品臺，可避免光刻膠碳化問題；樣品臺可傾斜以便選擇不同角度進行蒸鍍，可實現(xiàn)良好的覆蓋性。

技術(shù)參數(shù)：

1 本底真空10^-7 Torr；

2 基片臺可定制，單片或多片；

3 坩堝數(shù)量：1 ~ 6；

4 坩堝防污染設(shè)計；

5 石英晶振測量膜厚；

6 樣品可旋轉(zhuǎn)并加熱至：300℃/500℃/800℃；

7 可配備離子束輔助沉積；

8 可配備快速進樣室；

9 可與手套箱集成；

10 可根據(jù)用戶要求將其它鍍膜技術(shù)與電子束蒸發(fā)集成，例如磁控濺射，熱蒸發(fā)等；

11 全自動控制系統(tǒng)；

12 可選配帶冷卻功能的樣品臺，適合用于lift-off工藝；

13 可選配傾角可調(diào)的樣品臺，增加薄膜的臺階覆蓋能力。