矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點(diǎn)為用戶開(kāi)發(fā)了PECVD&PEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導(dǎo)體工藝中的薄膜封裝，OELD薄膜封裝，太陽(yáng)能電池封裝，薄膜鋰電池封裝等。ALD技術(shù)可以制備非常薄，非常致密的薄膜，但ALD技術(shù)制備致密薄膜需要的時(shí)間比較長(zhǎng)，這在工業(yè)生產(chǎn)中是不能容忍的。為了克服ALD鍍膜速度慢的劣勢(shì)，將其與PECVD快速制備介質(zhì)薄膜的技術(shù)集成到一起，可以實(shí)現(xiàn)多種不同材料交替堆疊的薄膜結(jié)構(gòu)。實(shí)踐證明，這種交替結(jié)構(gòu)的薄膜封裝性能可以達(dá)到與ALD技術(shù)同等的封裝效果，同時(shí)降低了整個(gè)封裝過(guò)程占用的時(shí)間。

ALD

1 不銹鋼腔體，雙層加熱設(shè)計(jì)；

2 等離子體增強(qiáng)模塊集成于腔體上蓋；

3 進(jìn)口高速ALD隔膜閥；

4 最大12英寸基片；

5 基片最高加熱400℃；

6 最多可提供6路前驅(qū)物和6路工藝氣體；

7 氣路全金屬密封，并可加熱至120℃；

8 可提供前驅(qū)體鋼瓶加熱或冷卻；

9 可全自動(dòng)控制工藝過(guò)程，同時(shí)也可以手動(dòng)操作。

PECVD

1 基片尺寸可定制；

2 低溫工藝：< 150℃ / 350℃；

3 多層式工藝氣體導(dǎo)入，氣體分布均勻；

4 獨(dú)立MFC控制箱，可靈活擴(kuò)充工藝氣路；

5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%；

6 可與手套箱集成；

多層薄膜封裝技術(shù)

不同技術(shù)對(duì)比